时间：2025/5/9 18:35:34
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BAS21 T/R是一种双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），主要用于开关和放大应用。该器件属于NPN类型，具有低饱和电压和快速开关特性，适用于多种电子电路设计。BAS21通常以T/R封装形式提供，这种封装体积小巧，适合高密度安装。
BAS21在消费电子、工业控制以及通信设备中有着广泛的应用场景，其典型工作频率范围支持较高速度的信号处理，同时保持较低的功耗。
集电极-发射极击穿电压：45V
集电极最大电流：200mA
直流电流增益（hFE）：100-600
集电极-发射极饱和电压：0.2V
存储温度范围：-55°C至150°C
工作结温范围：-55°C至150°C
热阻（RthJC）：200K/W
总耗散功率：310mW
BAS21是一款高性能的小信号晶体管，其主要特性包括：
1. 低饱和电压使得器件在开关模式下更加高效，减少了能量损耗。
2. 高电流增益确保了较小的基极驱动电流即可实现较大的集电极电流，从而提升了效率。
3. 快速的开关速度使其能够胜任高频信号处理任务。
4. 宽广的工作温度范围让BAS21能够在极端环境下可靠运行。
5. 小巧的T/R封装形式节省了PCB空间，非常适合便携式设备和其他对尺寸敏感的应用。
此外，BAS21还具备良好的稳定性和一致性，便于批量生产和长期使用。
BAS21 T/R晶体管适用于以下应用场景：
1. 开关电路：如继电器驱动、LED驱动等。
2. 放大器：用于音频信号放大、传感器信号调理等。
3. 电源管理：在低压差线性稳压器（LDO）或DC-DC转换器中作为控制元件。
4. 数字逻辑接口：实现不同电压电平之间的转换。
5. 通信设备：如调制解调器、无线收发模块中的信号处理部分。
6. 消费电子产品：包括家用电器、玩具、遥控器等。
BC847C
2SC1815
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